PHD38N02LT 데이터 시트
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 44.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.1nC @ 5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 800pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 57.6W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DPAK 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
