PMG45UN 데이터 시트
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.3nC @ 4.5V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 184pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 375mW (Ta), 4.35W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-TSSOP 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
