PMGD780SN 데이터 시트
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 490mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 920mOhm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.05nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 23pF @ 30V 전력-최대 410mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
