PN2369A_D75Z 데이터 시트
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0001.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0002.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0003.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0004.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0005.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0006.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0007.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 8](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0008.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 9](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0009.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 10](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0010.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 11](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0011.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 12](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0012.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 13](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0013.webp)
![PN2369A_D75Z 데이터 시트 페이지 14](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/117/pn2369a_d75z-0014.webp)
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 400nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V 전력-최대 350mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 400nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V 전력-최대 350mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 400nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V 전력-최대 350mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 400nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V 전력-최대 350mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 400nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V 전력-최대 225mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 400nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V 전력-최대 350mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |