R1RW0408DGE-2PR#B0 데이터 시트
R1RW0408DGE-2PR#B0 데이터 시트
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Renesas Electronics America
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.:
R1RW0408DGE-2PR#B0, R1RW0408DGE-2LR#B0
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM 메모리 크기 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 12ns 접근 시간 12ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 36-SOJ |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM 메모리 크기 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 12ns 접근 시간 12ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 36-SOJ |
