RN1106CT(TPL3) 데이터 시트
|
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V 저항-베이스 (R1) 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 50mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지 CST3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V 저항-베이스 (R1) 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 50mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지 CST3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V 저항-베이스 (R1) 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 50mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지 CST3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V 저항-베이스 (R1) 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 50mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지 CST3 |
