RSD046P05TL 데이터 시트
RSD046P05TL 데이터 시트
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Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
RSD046P05TL
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 155mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 550pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 850mW (Ta), 15W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 CPT3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
