RSR015P03TL 데이터 시트
RSR015P03TL 데이터 시트
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Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
RSR015P03TL





제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 235mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.6nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 190pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TSMT3 패키지 / 케이스 SC-96 |