RT7021BGN 데이터 시트
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0001.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0002.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0003.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0004.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0005.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0006.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0007.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 8](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0008.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 9](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0009.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 10](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0010.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 11](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0011.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 12](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0012.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 13](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0013.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 14](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0014.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 15](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0015.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 16](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0016.webp)
![RT7021BGN 데이터 시트 페이지 17](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/104/rt7021bgn-0017.webp)
제조업체 Richtek USA Inc. 시리즈 - 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 13V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 300mA, 600mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 70ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-DIP |
제조업체 Richtek USA Inc. 시리즈 - 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 13V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 300mA, 600mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 70ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-DIP |
제조업체 Richtek USA Inc. 시리즈 - 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 13V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 300mA, 600mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 70ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Richtek USA Inc. 시리즈 - 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 13V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 300mA, 600mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 70ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |