SCS120AGC 데이터 시트
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 20A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 400µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 860pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 12A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 240µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 516pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 8A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 160µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 345pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 6A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 120µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 260pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 430pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 175°C (Max) |
