Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SI5913DC-T1-E3 데이터 시트

SI5913DC-T1-E3 데이터 시트
총 페이지: 12
크기: 198.24 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.: SI5913DC-T1-E3, SI5913DC-T1-GE3
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 1
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 2
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 3
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 4
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 5
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 6
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 7
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 8
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 9
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 10
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 11
SI5913DC-T1-E3 데이터 시트 페이지 12
SI5913DC-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

LITTLE FOOT®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

84mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta), 3.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

SI5913DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

LITTLE FOOT®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

84mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta), 3.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead