SI6928DQ-T1-GE3 데이터 시트
SI6928DQ-T1-GE3 데이터 시트
총 페이지: 5
크기: 98.91 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.:
SI6928DQ-T1-GE3, SI6928DQ-T1-E3
![SI6928DQ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si6928dq-t1-ge3-0001.webp)
![SI6928DQ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si6928dq-t1-ge3-0002.webp)
![SI6928DQ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si6928dq-t1-ge3-0003.webp)
![SI6928DQ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si6928dq-t1-ge3-0004.webp)
![SI6928DQ-T1-GE3 데이터 시트 페이지 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/28/si6928dq-t1-ge3-0005.webp)
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |