SI8481DB-T1-E1 데이터 시트
SI8481DB-T1-E1 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SI8481DB-T1-E1
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen III FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 47nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2500pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.8W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) 패키지 / 케이스 4-UFBGA |
