SI8489EDB-T2-E1 데이터 시트
SI8489EDB-T2-E1 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 165.84 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SI8489EDB-T2-E1
|
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 44mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 765pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 4-Microfoot 패키지 / 케이스 4-UFBGA |
