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SI8902EDB-T2-E1 데이터 시트

SI8902EDB-T2-E1 데이터 시트
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Vishay Siliconix
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SI8902EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 980µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-MICRO FOOT®CSP

공급자 장치 패키지

6-Micro Foot™ (2.36x1.56)