SIA850DJ-T1-GE3 데이터 시트
SIA850DJ-T1-GE3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SIA850DJ-T1-GE3
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 LITTLE FOOT® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 190V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 950mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.5nC @ 10V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 90pF @ 100V FET 기능 Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대) 1.9W (Ta), 7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
