SIHB22N60AE-GE3 데이터 시트
SIHB22N60AE-GE3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SIHB22N60AE-GE3
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 E FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 96nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1451pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 179W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D²PAK (TO-263) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
