SISS05DN-T1-GE3 데이터 시트
SISS05DN-T1-GE3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SISS05DN-T1-GE3
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen IV FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 29.4A (Ta), 108A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 115nC @ 10V Vgs (최대) +16V, -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4930pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 5W (Ta), 65.7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8S |
