Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SQD40031EL_GE3 데이터 시트

SQD40031EL_GE3 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 218.27 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: SQD40031EL_GE3
SQD40031EL_GE3 데이터 시트 페이지 1
SQD40031EL_GE3 데이터 시트 페이지 2
SQD40031EL_GE3 데이터 시트 페이지 3
SQD40031EL_GE3 데이터 시트 페이지 4
SQD40031EL_GE3 데이터 시트 페이지 5
SQD40031EL_GE3 데이터 시트 페이지 6
SQD40031EL_GE3 데이터 시트 페이지 7
SQD40031EL_GE3 데이터 시트 페이지 8
SQD40031EL_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63