SS275TA12205 데이터 시트
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제조업체 IXYS-RF 시리즈 - 다이오드 구성 3 Common Anode 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 5A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 1200V 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DE275 |
제조업체 IXYS-RF 시리즈 - 다이오드 구성 3 Independent 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 5A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 1200V 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DE275 |
제조업체 IXYS-RF 시리즈 - 다이오드 구성 3 Common Cathode 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 5A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 1200V 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DE275 |
