SSM6K204FE 데이터 시트
SSM6K204FE 데이터 시트
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Toshiba Semiconductor and Storage
웹 사이트: http://www.toshiba.com/taec/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SSM6K204FE,LF






제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 126mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.4nC @ 10V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 195pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 ES6 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 |