STK12C68-PF55 데이터 시트
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 28-PDIP |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 45ns 접근 시간 45ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지 28-DIP |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 25ns 접근 시간 25ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지 28-DIP |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 25ns 접근 시간 25ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지 28-DIP |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 45ns 접근 시간 45ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 28-PDIP |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 25ns 접근 시간 25ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 28-PDIP |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 45ns 접근 시간 45ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-LCC 공급자 장치 패키지 28-LCC (13.97x8.89) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 45ns 접근 시간 45ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-LCC 공급자 장치 패키지 28-LCC (13.97x8.89) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 35ns 접근 시간 35ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-LCC 공급자 장치 패키지 28-LCC (13.97x8.89) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 35ns 접근 시간 35ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-LCC 공급자 장치 패키지 28-LCC (13.97x8.89) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 45ns 접근 시간 45ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 28-CDIP |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 35ns 접근 시간 35ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 28-CDIP |
