STP6NC60 데이터 시트
STP6NC60 데이터 시트
총 페이지: 10
크기: 374.71 KB
STMicroelectronics
웹 사이트: https://www.st.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
STP6NC60
|
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 PowerMESH™ II FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 45.5nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1020pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 125W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
