TPC8018-H(TE12LQM) 데이터 시트
TPC8018-H(TE12LQM) 데이터 시트
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Toshiba Semiconductor and Storage
웹 사이트: http://www.toshiba.com/taec/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
TPC8018-H(TE12LQM)
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2265pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0) 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
