U441-E3 데이터 시트
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-71-6 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-71-6 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-71-6 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-71-6 공급자 장치 패키지 - |
