UPA2816T1S-E2-AT 데이터 시트
UPA2816T1S-E2-AT 데이터 시트
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Renesas Electronics America
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
UPA2816T1S-E2-AT
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33.4nC @ 10V Vgs (최대) +20V, -25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1160pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.5W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-HWSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
