V2F6HM3/I 데이터 시트
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 600mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 480µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F 250pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 DO-219AB (SMF) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 600mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 480µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F 250pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 DO-219AB (SMF) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 600mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 480µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F 250pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 DO-219AB (SMF) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 600mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 480µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F 250pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 DO-219AB (SMF) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |