VS-GT100TP60N 데이터 시트
VS-GT100TP60N 데이터 시트
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Vishay Semiconductor Diodes Division
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
VS-GT100TP60N
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - IGBT 유형 Trench 구성 Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 160A 전력-최대 417W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대) 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 7.71nF @ 30V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지 INT-A-PAK |
