XN0NE9200L 데이터 시트
XN0NE9200L 데이터 시트
총 페이지: 4
크기: 181.12 KB
Panasonic Electronic Components
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
XN0NE9200L
|
제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 450mOhm @ 800mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대) 600mW (Ta) 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 Mini5-G1 패키지 / 케이스 SC-74A, SOT-753 |
