ZGL41-200A-E3/96 데이터 시트
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 200V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 1.2 kOhms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 152V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 190V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 1.05 kOhms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 144.4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 170V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 800 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 129.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 160V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 700 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 121.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 150V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 600 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 114V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 140V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 525 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 106.4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 130V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 450 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 98.8V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 120V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 380 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 91.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 110V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 300 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 83.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 100V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 250 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 76V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 200V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 1.2 kOhms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 152V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |
Vishay Semiconductor Diodes Division 제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 190V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 1.05 kOhms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 144.4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) |