Honeywell Aerospace 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
제조업체Honeywell Aerospace
기록 4
페이지 1/1
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | FET 유형 | 기술 | 드레인-소스 전압 (Vdss) | 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | Vgs (최대) | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | FET 기능 | 전력 손실 (최대) | 작동 온도 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 패키지 / 케이스 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Honeywell Aerospace |
MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
2,214 |
|
HTMOS™ | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | - | 50W (Tj) | -55°C ~ 225°C (TJ) | Through Hole | 4-Power Tab | 4-SIP |
|
|
|
Honeywell Aerospace |
MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
2,988 |
|
HTMOS™ | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | - | 50W (Tj) | -55°C ~ 225°C (TJ) | Through Hole | 8-CDIP-EP | 8-CDIP Exposed Pad |
|
|
|
Honeywell Aerospace |
MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
4,824 |
|
HTMOS™ | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | - | 50W (Tj) | - | Through Hole | - | 8-CDIP Exposed Pad |
|
|
|
Honeywell Aerospace |
MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
8,946 |
|
HTMOS™ | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | - | 50W (Tj) | - | Through Hole | - | - |