Infineon Technologies 트랜지스터-JFET
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-JFET
제조업체Infineon Technologies
기록 2
페이지 1/1
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | FET 유형 | 전압-항복 (V (BR) GSS) | 드레인-소스 전압 (Vdss) | 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 전류 드레인 (Id)-최대 | 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 저항-RDS (켜짐) | 전력-최대 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 공급자 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies |
JFET N-CHAN 35A TO247-3 |
8,154 |
|
- | N-Channel | - | 1200V | 3.3µA @ 1200V | 35A | - | 2000pF @ 19.5V (VGS) | 70 mOhms | 238W | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PG-TO247-3 |
|
|
|
Infineon Technologies |
JFET N-CHAN 26A TO247-3 |
4,950 |
|
- | N-Channel | - | 1200V | 1.5µA @ 1200V | 26A | - | 1550pF @ 19.5V (VGS) | 100 mOhms | 190W | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PG-TO247-3 |