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BB439E6327HTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE RF SGL 28V 20MA SOD323-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 6pF @ 25V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 8
• 커패시턴스 비율 조건: C2/C25
• 전압-피크 역방향 (최대): 28V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: 600 @ 25V, 200MHz
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOD323-2

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1SV325,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

배 랙터 다이오드

DIODE VARACTOR 10V ESC

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 4.3
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C4
• 전압-피크 역방향 (최대): 10V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: ESC

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1SV281(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

배 랙터 다이오드

DIODE VCO V/UHF 10V ESC

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 8.7pF @ 4V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 2
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C4
• 전압-피크 역방향 (최대): 10V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: ESC

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BB535E7904HTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 2.3pF @ 28V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 9.8
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C28
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOD323-2

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BB640E6327HTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 3.3pF @ 28V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 25
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C28
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOD323-2

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BB639E7904HTSA1

Infineon Technologies

배 랙터 다이오드

DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
• 커패시턴스 비율: 14.7
• 커패시턴스 비율 조건: C1/C28
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 다이오드 유형: Single
• Q @ Vr, F: -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOD323-2

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BT158W-1200TQ

WeEn Semiconductors

사이리스터-SCR

BT158W-1200TQ TO-247

• 제조업체: WeEn Semiconductors
• 시리즈: -
• 전압-꺼짐 상태: 1.2kV
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 1V
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 70mA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 1.65V
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 80A
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 126A
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 200mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 3mA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 1100A, 1210A
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3

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BT155Z-1200TQ

WeEn Semiconductors

사이리스터-SCR

BT155Z-1200TQ II TO3P

• 제조업체: WeEn Semiconductors
• 시리즈: -
• 전압-꺼짐 상태: 1.2kV
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 1V
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 50mA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 1.5V
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 50A
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 79A
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 200mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 3mA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 650A, 715A
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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VS-25TTS12STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

사이리스터-SCR

SCR PHASE CTRL 1200V 25A D2PAK

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 전압-꺼짐 상태: 1.2kV
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2V
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 45mA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 1.25V
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 16A
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 25A
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 150mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 500µA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: TO-263AB (D²PAK)

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JANTX2N2323AS

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 50V TO205AA

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 50V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JAN2N2324

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 100V TO205AA

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 100V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 10µA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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2N2328

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 300V 200UA TO205AA

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 300V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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2N2326

Microsemi

사이리스터-SCR

SCR 200V 200UA TO205AA

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 200V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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2N2323

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 50V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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2N690

Central Semiconductor Corp

사이리스터-SCR

SCR THYRISTOR TO48

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 전압-꺼짐 상태: 600V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2V
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 40mA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 2V
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 25A
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 100mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 5mA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 200A @ 60Hz
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: TO-208AA, TO-48-3, Stud
• 공급자 장치 패키지: TO-48

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2N688

Central Semiconductor Corp

사이리스터-SCR

SCR THYRISTOR TO48

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 전압-꺼짐 상태: 400V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2V
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 40mA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 2V
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 25A
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 100mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 8mA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 200A @ 60Hz
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: TO-208AA, TO-48-3, Stud
• 공급자 장치 패키지: TO-48

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2N3896

Central Semiconductor Corp

사이리스터-SCR

SCR THYRISTOR TO48

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: *
• 전압-꺼짐 상태: -
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): -
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): -
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): -
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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JANTX2N2324AS

M/A-Com Technology Solutions

사이리스터-SCR

DIODE

• 제조업체: M/A-Com Technology Solutions
• 시리즈: *
• 전압-꺼짐 상태: -
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): -
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): -
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): -
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JAN2N2329S

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 400V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N2326S

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 200V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N2326AS

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 200V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N2324AS

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 100V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N2324A

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO-5

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 100V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 600mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 20µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JANTX2N2324

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO-5

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 100V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JAN2N2323S

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 50V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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VS-40TTS12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

사이리스터-SCR

SCR 1200V 40A TO-220

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 전압-꺼짐 상태: 1.2kV
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 1.3V
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 35mA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 1.6V
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 25A
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 40A
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 100mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 500µA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 300A @ 50Hz
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: -40°C ~ 140°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-3
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB

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VS-25TTS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

사이리스터-SCR

SCR 800V 25A D2PAK

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 전압-꺼짐 상태: 800V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2V
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 45mA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 1.25V
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 16A
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 25A
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 150mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 500µA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 300A @ 50Hz
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: TO-263AB (D²PAK)

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VS-16TTS12SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

사이리스터-SCR

SCR 1200V 16A D2PAK

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 전압-꺼짐 상태: 1.2kV
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 2V
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 60mA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 1.4V
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 10A
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 16A
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 150mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 10mA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 170A @ 50Hz
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: TO-263AB

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VS-12TTS08STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

사이리스터-SCR

SCR 800V 12.5A D2PAK

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 전압-꺼짐 상태: 800V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 1V
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 15mA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): 1.2V
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 8A
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): 12.5A
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 30mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): 50µA
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): 95A @ 50Hz
• SCR 유형: Standard Recovery
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: TO-263AB (D²PAK)

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JANTX2N2326S

Microsemi

사이리스터-SCR

DIODE SILICON CTRL TO-5

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/276
• 전압-꺼짐 상태: 200V
• 전압-게이트 트리거 (Vgt) (최대): 800mV
• 전류-게이트 트리거 (Igt) (최대): 200µA
• 전압-켜짐 상태 (Vtm) (최대): -
• 전류-켜짐 상태 (It (AV)) (최대): 220mA
• 전류-켜짐 상태 (It (RMS)) (최대): -
• 전류-홀드 (Ih) (최대): 2mA
• 전류-꺼짐 상태 (최대): -
• 전류-비 반복 서지 50, 60Hz (Itsm): -
• SCR 유형: Sensitive Gate
• 작동 온도: -65°C ~ 125°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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