Instant Offers

부품 번호	설명	재고 있음
UES706HR2 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 20A DO4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 20A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.25V @ 20A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지: DO-4 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음1,128
RS 4FS Sanken	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1.5KV 2.5A AXIAL 제조업체: Sanken 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1500V 전류-평균 정류 (Io): 2.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 1µs 전류-역방향 누설 @ Vr: - 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -	재고 있음544
1N4944 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,976
RJU6054TDPP-EJ#T2 Renesas Electronics America	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 30A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 3V @ 30A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 25ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-2 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP-2L 작동 온도-접합: 150°C (Max)	재고 있음56
1N4936 ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C	재고 있음30
CD214A-B240LF Bourns	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMA 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 2A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 500µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지: SMA (DO-214AC) 작동 온도-접합: -55°C ~ 125°C	재고 있음137,358
ES2DHE3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 2A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 30ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지: DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음11,335
BY399P-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.25V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -50°C ~ 125°C	재고 있음497,657
1N5404 ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음5,223
SPV1001N40 STMicroelectronics	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 40V 12.5A 8PQFN 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V 전류-평균 정류 (Io): 12.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 140mV @ 10A 속도: - 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 작동 온도-접합: -45°C ~ 150°C	재고 있음19,873
JANTX1N6626US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/578 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1.75A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 2A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 45ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, E 공급자 장치 패키지: D-5B 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C	재고 있음4,272
JANTX1N649-1 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/240 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 400mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 400mA 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지: DO-35 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음134
JANTX1N4938-1 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/169 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 175V 전류-평균 정류 (Io): 100mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 100mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 175V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지: DO-35 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음9,108
VS-20ETF06FPPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 20A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 160ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-2 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220AC Full Pack 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C	재고 있음99
VS-20ETF06PBF Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 20A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 160ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-2 공급자 장치 패키지: TO-220AC 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C	재고 있음9,311
VS-20ETF04PBF Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 20A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 160ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-2 공급자 장치 패키지: TO-220AC 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C	재고 있음4,355
CMH05A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-128 공급자 장치 패키지: M-FLAT (2.4x3.8) 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C	재고 있음41,662
RS2JHE3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 1.5A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지: DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음91,019
IDH10S120AKSA1 Infineon Technologies	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 10A 속도: No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 240µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-2 공급자 장치 패키지: PG-TO220-2-2 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C	재고 있음197
IDH05S120AKSA1 Infineon Technologies	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io): 5A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A 속도: No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 120µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-2 공급자 장치 패키지: PG-TO220-2-2 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C	재고 있음606
IDD06SG60CXTMA1 Infineon Technologies	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 6A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.3V @ 6A 속도: No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C	재고 있음13
MBR1640 Diodes Incorporated	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 40V 16A TO220AC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V 전류-평균 정류 (Io): 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 630mV @ 16A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 200µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F: 450pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-2 공급자 장치 패키지: TO-220AC 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C	재고 있음2,973
2A03-T Diodes Incorporated	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 2A DO15 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 2A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-15 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C	재고 있음8,099
SB320-T Diodes Incorporated	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 500µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C	재고 있음236
MA2J7290GL Panasonic Electronic Components	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMINI2 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V 전류-평균 정류 (Io): 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 550mV @ 200mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): 3ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-90, SOD-323F 공급자 장치 패키지: SMini2-F3 작동 온도-접합: 150°C (Max)	재고 있음8,415
MA2J1130GL Panasonic Electronic Components	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 80V 200MA SMINI2 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V 전류-평균 정류 (Io): 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): 10ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 75V 커패시턴스 @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-90, SOD-323F 공급자 장치 패키지: SMini2-F3 작동 온도-접합: 150°C (Max)	재고 있음9,650
STTH512B STMicroelectronics	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.2V @ 5A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 95ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK 작동 온도-접합: 175°C (Max)	재고 있음6,194
MURD310T4 ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 100V 3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 950mV @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음1,417
BAT41JFILM STMicroelectronics	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD323 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io): 200mA (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지: SOD-323 작동 온도-접합: 150°C (Max)	재고 있음21,940
SDT08S60 Infineon Technologies	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 8A 속도: No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 300µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 280pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-2 공급자 장치 패키지: PG-TO220-2-2 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C	재고 있음331

UES706HR2

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 20A DO4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 20A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.25V @ 20A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 50ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지: DO-4
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음1,128

RS 4FS

Sanken

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.5KV 2.5A AXIAL

제조업체: Sanken
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1500V
전류-평균 정류 (Io): 2.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 1µs
전류-역방향 누설 @ Vr: -
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -

재고 있음544

1N4944

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음6,976

RJU6054TDPP-EJ#T2

Renesas Electronics America

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 30A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 3V @ 30A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 25ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-2 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP-2L
작동 온도-접합: 150°C (Max)

재고 있음56

1N4936

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C

재고 있음30

CD214A-B240LF

Bourns

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMA

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 2A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 500µA @ 40V
커패시턴스 @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지: SMA (DO-214AC)
작동 온도-접합: -55°C ~ 125°C

재고 있음137,358

ES2DHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 2A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 30ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지: DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음11,335

BY399P-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.25V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 500ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -50°C ~ 125°C

재고 있음497,657

1N5404

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음5,223

SPV1001N40

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 40V 12.5A 8PQFN

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V
전류-평균 정류 (Io): 12.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 140mV @ 10A
속도: -
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
작동 온도-접합: -45°C ~ 150°C

재고 있음19,873

JANTX1N6626US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/578
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1.75A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 2A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 45ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, E
공급자 장치 패키지: D-5B
작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

재고 있음4,272

JANTX1N649-1

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/240
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 400mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 400mA
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 50nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지: DO-35
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음134

JANTX1N4938-1

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/169
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 175V
전류-평균 정류 (Io): 100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 100mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): 50ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 175V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지: DO-35
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음9,108

VS-20ETF06FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 20A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 160ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-2 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220AC Full Pack
작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C

재고 있음99

VS-20ETF06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 20A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 160ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-2
공급자 장치 패키지: TO-220AC
작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C

재고 있음9,311

VS-20ETF04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 20A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 160ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-2
공급자 장치 패키지: TO-220AC
작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C

재고 있음4,355

CMH05A(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-128
공급자 장치 패키지: M-FLAT (2.4x3.8)
작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C

재고 있음41,662

RS2JHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 1.5A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 250ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지: DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음91,019

IDH10S120AKSA1

Infineon Technologies

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io): 10A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 10A
속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 0ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 240µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-2
공급자 장치 패키지: PG-TO220-2-2
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

재고 있음197

IDH05S120AKSA1

Infineon Technologies

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io): 5A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A
속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 0ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 120µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-2
공급자 장치 패키지: PG-TO220-2-2
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

재고 있음606

IDD06SG60CXTMA1

Infineon Technologies

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 6A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.3V @ 6A
속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 0ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

재고 있음13

MBR1640

Diodes Incorporated

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 40V 16A TO220AC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V
전류-평균 정류 (Io): 16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 630mV @ 16A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 200µA @ 40V
커패시턴스 @ Vr, F: 450pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-2
공급자 장치 패키지: TO-220AC
작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

재고 있음2,973

2A03-T

Diodes Incorporated

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 2A DO15

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 2A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-15
작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

재고 있음8,099

SB320-T

Diodes Incorporated

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 500µA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

재고 있음236

MA2J7290GL

Panasonic Electronic Components

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMINI2

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
전류-평균 정류 (Io): 200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 550mV @ 200mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): 3ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-90, SOD-323F
공급자 장치 패키지: SMini2-F3
작동 온도-접합: 150°C (Max)

재고 있음8,415

MA2J1130GL

Panasonic Electronic Components

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 80V 200MA SMINI2

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V
전류-평균 정류 (Io): 200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): 10ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 75V
커패시턴스 @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-90, SOD-323F
공급자 장치 패키지: SMini2-F3
작동 온도-접합: 150°C (Max)

재고 있음9,650

STTH512B

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.2V @ 5A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 95ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK
작동 온도-접합: 175°C (Max)

재고 있음6,194

MURD310T4

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 950mV @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음1,417

BAT41JFILM

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD323

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io): 200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 200mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지: SOD-323
작동 온도-접합: 150°C (Max)

재고 있음21,940

SDT08S60

Infineon Technologies

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 8A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 8A
속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 0ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 300µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 280pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-2
공급자 장치 패키지: PG-TO220-2-2
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

재고 있음331

Send Message

Certifications

Instant Offers

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message