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Littelfuse 트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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필터 적용
카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
제조업체Littelfuse Inc.
기록 5
페이지 1/1
이미지
부품 번호
제조업체
설명
재고 있음
수량
시리즈
FET 유형
기술
드레인-소스 전압 (Vdss)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
Vgs (th) (최대) @ Id
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
Vgs (최대)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
FET 기능
전력 손실 (최대)
작동 온도
장착 유형
공급자 장치 패키지
패키지 / 케이스
LSIC1MO120E0120
Littelfuse
SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
17,532
-
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1200V
27A (Tc)
20V
150mOhm @ 14A, 20V
4V @ 7mA
80nC @ 20V
+22V, -6V
1125pF @ 800V
-
139W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247-3
LSIC1MO170E1000
Littelfuse
MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L
6,972
-
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1700V
5A (Tc)
15V, 20V
1Ohm @ 2A, 20V
4V @ 1mA
15nC @ 20V
+22V, -6V
200pF @ 1000V
-
54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3L
TO-247-3
LSIC1MO120E0080
Littelfuse
MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3
3,852
-
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1200V
39A (Tc)
20V
100mOhm @ 20A, 20V
4V @ 10mA
95nC @ 20V
+22V, -6V
1825pF @ 800V
-
179W (Tc)
-55°C ~ 150°C
Through Hole
TO-247-3
TO-247-3
LSIC1MO120E0160
Littelfuse
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
4,194
-
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1200V
22A (Tc)
20V
200mOhm @ 10A, 20V
4V @ 5mA
57nC @ 20V
+22V, -6V
870pF @ 800V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247-3
SYC0102BLT1G
Littelfuse
SCR 0.25A GATE SCR
2,898
*
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