Monolithic Power Systems Inc. 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
제조업체Monolithic Power Systems Inc.
기록 3
페이지 1/1
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | FET 유형 | FET 기능 | 드레인-소스 전압 (Vdss) | 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 전력-최대 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 공급자 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Monolithic Power Systems Inc. |
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC |
5,004 |
|
- | 3 N-Channel, Common Gate | Standard | 600V | 80mA | 190Ohm @ 10mA, 10V | 1.2V @ 250µA | - | - | 1.3W | -20°C ~ 125°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC |
|
|
|
Monolithic Power Systems Inc. |
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP |
4,140 |
|
- | 3 N-Channel, Common Gate | Standard | 600V | 80mA | 190Ohm @ 10mA, 10V | 1.2V @ 250µA | - | - | 1.3W | -20°C ~ 125°C (TJ) | Through Hole | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-PDIP |
|
|
|
Monolithic Power Systems Inc. |
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC |
5,058 |
|
- | 3 N-Channel, Common Gate | Standard | 600V | 80mA | 190Ohm @ 10mA, 10V | 1.2V @ 250µA | - | - | 1.3W | -20°C ~ 125°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC |