NXP 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
제조업체NXP USA Inc.
기록 1
페이지 1/1
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | 트랜지스터 유형 | 전류-수집기 (Ic) (최대) | 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 전류-수집기 차단 (최대) | DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 전력-최대 | 주파수-전환 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 공급자 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NXP |
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6DFN |
7,650 |
|
Automotive, AEC-Q101 | NPN, PNP Complementary | 100mA | 45V | 100mV @ 500µA, 10mA | 15nA (ICBO) | 200 @ 2mA, 5V | 230mW | 100MHz | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-XFDFN Exposed Pad | DFN1010B-6 |