1035MP
참조 용
| 부품 번호 | 1035MP |
| PNEDA 부품 번호 | 1035MP |
| 설명 | RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,644 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 9월 24 - 9월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1035MP 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1035MP |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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1035MP 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 65V |
| 주파수-전환 | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | 10dB ~ 10.5dB |
| 전력-최대 | 125W |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 2.5A |
| 작동 온도 | 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | 55FW-1 |
| 공급자 장치 패키지 | 55FW-1 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득 - 전력-최대 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 25mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SOT-323-3 |
제조업체 CEL 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 2.3dB @ 1GHz 이득 8.3dB 전력-최대 1.8W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 150mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-243AA 공급자 장치 패키지 SOT-89 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 200MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 4.5dB @ 200MHz 이득 20dB 전력-최대 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-72 |
