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10ETF12FP

10ETF12FP

참조 용

부품 번호 10ETF12FP
PNEDA 부품 번호 10ETF12FP
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,770
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

10ETF12FP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호10ETF12FP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
10ETF12FP, 10ETF12FP 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 202.86 KB)
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10ETF12FP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.33V @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)310ns
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220AC Full Pack
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

350µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

작동 온도-접합

-55°C ~ 200°C

SCS220KGHRC

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

20A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 20A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

1060pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

175°C (Max)

NSR0140M2T5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

70mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

350mV @ 1mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

2.5pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-723

공급자 장치 패키지

SOD-723

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

VS-12FL10S05

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AA

작동 온도-접합

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SS115L MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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