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10MQ100N

10MQ100N

참조 용

부품 번호 10MQ100N
PNEDA 부품 번호 10MQ100N
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 2.1A SMA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,264
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

10MQ100N 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호10MQ100N
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
10MQ100N, 10MQ100N 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 148.31 KB)
PDF10MQ100NTR 데이터 시트 표지
10MQ100NTR 데이터 시트 페이지 2 10MQ100NTR 데이터 시트 페이지 3 10MQ100NTR 데이터 시트 페이지 4 10MQ100NTR 데이터 시트 페이지 5 10MQ100NTR 데이터 시트 페이지 6 10MQ100NTR 데이터 시트 페이지 7

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  • 10MQ100N Distributor

10MQ100N 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)2.1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If780mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지SMA
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

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시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AA, SMB Gull Wing

공급자 장치 패키지

DO-215AA

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

MBR340RL

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

600µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

FSV340FP

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

520mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

12.37ns

전류-역방향 누설 @ Vr

160µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123H

공급자 장치 패키지

SOD-123HE

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

UF3008-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

DO-27

작동 온도-접합

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1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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