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110MT120KB

110MT120KB

참조 용

부품 번호 110MT120KB
PNEDA 부품 번호 110MT120KB
설명 BRIDGE RECT 3P 1.2KV 110A MTK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
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110MT120KB 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호110MT120KB
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
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  • 110MT120KB Distributor

110MT120KB 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Three Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1.2kV
전류-평균 정류 (Io)110A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 150A
전류-역방향 누설 @ Vr10mA @ 1200V
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스MTK
공급자 장치 패키지MTK

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

작동 온도

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장착 유형

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다이오드 유형

Three Phase

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전압-피크 역방향 (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

215mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

전류-역방향 누설 @ Vr

2.5µA @ 75V

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

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시리즈

*

다이오드 유형

-

기술

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

공급자 장치 패키지

GBU

VS-26MT80

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Three Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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