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111MT80KB

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참조 용

부품 번호 111MT80KB
PNEDA 부품 번호 111MT80KB
설명 BRIDGE RECT 3PHASE 800V 110A MTK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,580
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111MT80KB 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호111MT80KB
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
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PDF93MT160KB 데이터 시트 표지
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  • 111MT80KB Distributor

111MT80KB 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Three Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)110A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
전류-역방향 누설 @ Vr20mA @ 800V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스MTK
공급자 장치 패키지MTK

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전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 12.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, BU

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Single Phase

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Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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4-SIP, GBU

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Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 12.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBJ

공급자 장치 패키지

GBJ

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Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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