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112MT120KB

112MT120KB

참조 용

부품 번호 112MT120KB
PNEDA 부품 번호 112MT120KB
설명 BRIDGE RECT 3P 1.2KV 110A MTK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,834
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
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112MT120KB 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호112MT120KB
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
112MT120KB, 112MT120KB 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 135.3 KB)
PDF93MT160KB 데이터 시트 표지
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  • 112MT120KB Distributor

112MT120KB 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Three Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1.2kV
전류-평균 정류 (Io)110A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
전류-역방향 누설 @ Vr20mA @ 1200V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스MTK
공급자 장치 패키지MTK

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전류-평균 정류 (Io)

50A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100A

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 1800V

작동 온도

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Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

50A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 25A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

QC Terminal

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GBPC

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GeneSiC Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

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Central Semiconductor Corp

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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CM

RDBF151U-13

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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