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15C02MH-TL-E

15C02MH-TL-E

참조 용

부품 번호 15C02MH-TL-E
PNEDA 부품 번호 15C02MH-TL-E
설명 TRANS NPN 15V 1A MCPH3
제조업체 ON Semiconductor
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15C02MH-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호15C02MH-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
15C02MH-TL-E, 15C02MH-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 361.95 KB)
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15C02MH-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic280mV @ 20mA, 400mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 50mA, 2V
전력-최대600mW
주파수-전환440MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지3-MCPH

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

500V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 1.2A, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 1.2A, 5V

전력-최대

100W

주파수-전환

18MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

전력-최대

40W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

SOT-32-3

NJVMJD127T4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 80mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V

전력-최대

20W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

BD435S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

32V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 5V

전력-최대

36W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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