19MT050XF
참조 용
| 부품 번호 | 19MT050XF |
| PNEDA 부품 번호 | 19MT050XF |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,172 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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19MT050XF 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 19MT050XF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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19MT050XF 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 31A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 6V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7210pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1140W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | 16-MTP Module |
| 공급자 장치 패키지 | 16-MTP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 14mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-ECH |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.1A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 419pF @ 10V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PG-TSDSON-8-FL |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.9A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 841pF @ 10V 전력-최대 870mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 44mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 235pF @ 15V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-DFN (2x2) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 230pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
