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1N1184R

1N1184R

참조 용

부품 번호 1N1184R
PNEDA 부품 번호 1N1184R
설명 DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,906
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N1184R 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N1184R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N1184R, 1N1184R 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 764.84 KB)
PDF1N1187R 데이터 시트 표지
1N1187R 데이터 시트 페이지 2 1N1187R 데이터 시트 페이지 3

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  • 1N1184R Distributor

1N1184R 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)35A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 35A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-5
작동 온도-접합-65°C ~ 190°C

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AA (DO-4)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SK53C M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

PMEG2015EA,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 15V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

SRT14HA0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

DSB0.5A20

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

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