1N1186
참조 용
| 부품 번호 | 1N1186 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 1N1186 | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 257 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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1N1186 리소스
| 브랜드 | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N1186 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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- GeneSiC Semiconductor Distributor
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- 1N1186 Distributor
1N1186 사양
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 35A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 35A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 50V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-203AB, DO-5, Stud |
| 공급자 장치 패키지 | DO-5 |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 190°C |
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제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 150mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 100mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 75V 커패시턴스 @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 0805 (2012 Metric) 공급자 장치 패키지 0805 작동 온도-접합 150°C (Max) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 20A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 20A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 40µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 866pF @ 1V, 100kHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지 TO-247-3 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 150mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 150mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 75V 커패시턴스 @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
