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1N2135A

1N2135A

참조 용

부품 번호 1N2135A
PNEDA 부품 번호 1N2135A
설명 DIODE GEN PURP 400V 60A DO5
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,574
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N2135A 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N2135A
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N2135A, 1N2135A 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 766.18 KB)
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  • 1N2135A Distributor

1N2135A 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)60A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 60A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-5
작동 온도-접합-65°C ~ 200°C

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SK83C V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

CRS09(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

460mV @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

S-FLAT (1.6x3.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

JANTX1N3070-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/169

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

175V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 175V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AA, DO-7, Axial

공급자 장치 패키지

DO-7

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

S2A M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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