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1N3265R

1N3265R

참조 용

부품 번호 1N3265R
PNEDA 부품 번호 1N3265R
설명 DIODE GEN PURP 300V 160A DO205AB
제조업체 Powerex Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 7,020
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N3265R 리소스

브랜드 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N3265R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N3265R, 1N3265R 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 578.56 KB)
PDF1N3276R 데이터 시트 표지
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1N3265R 사양

제조업체Powerex Inc.
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)300V
전류-평균 정류 (Io)160A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr12mA @ 300V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-205AB, DO-9, Stud
공급자 장치 패키지DO-205AB, DO-9
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RB058LAM150TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-128

공급자 장치 패키지

PMDTM

작동 온도-접합

150°C (Max)

GP2D006A065C

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

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다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

6A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.65V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

316pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252-2L (DPAK)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

S1GL RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

LSIC2SD065A16A

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제조업체

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시리즈

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다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

38A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 16A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

730pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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