1N3290A
참조 용
| 부품 번호 | 1N3290A |
| PNEDA 부품 번호 | 1N3290A |
| 설명 | DIODE GEN PURP 300V 100A DO205AA |
| 제조업체 | Powerex Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,628 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N3290A 리소스
| 브랜드 | Powerex Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N3290A |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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1N3290A 사양
| 제조업체 | Powerex Inc. |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 300V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 100A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.5V @ 100A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 24mA @ 300V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-205AA, DO-8, Stud |
| 공급자 장치 패키지 | DO-205AA (DO-8) |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 200°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 MILITARY, MIL-PRF-19500/478 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 300pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AA (DO-4) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 35V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 520mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 2mA @ 35V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-215AB, SMC Gull Wing 공급자 장치 패키지 DO-215AB 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 35V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 840mV @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 35V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 TO-263AB 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 10A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 400µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 PG-TO247-3-41 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
